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排ガス処理装置一覧

半導体製造に欠くことの出来ない排ガス処理技術分野での数多くの実績を有し、更に多様化するニーズに多彩な技術と最新鋭設備でお応えします。

NF3用排ガス処理装置　MODEL-WGH

特長

  • NF3を許容濃度(10ppm)以下に分解します。
  • 除害装置出口のガスには、CO2、NOx、HFが含まれません。
  • 270℃からの低温運転による除害が可能です。
  • NF3分解後のフッ素化合物はカートリッジ内に固定されますので、2次スクラバー設置の必要がありません。
    （排水処理設備が不要です。）
  • カートリッジ式なので、能力を消耗した除害筒の交換が安全にできます。

装置仕様

寸法 W×D×H(mm) 1,200×800×2,000
装置重量(kg) 500
電源電圧(kVA) 17
置換用ガス 種類 N2
供給圧 0.4～0.7MPa
使用量 100(ℓ/min)nor
計装用ガス 種類 N2又は、
Dry Air
供給圧 0.4～0.7MPa
使用量 若干

触媒加熱分解装置　MODEL-WGB

特長

  • 高・強誘導電体製造プロセスの排ガス処理に最適。
  • 揮発性有機物質（THF、酢酸ブチルなど）とPb、Zr、Tiなどの有機金属錯体を高効率かつ安全に除害します。
  • 酸化触媒の作用により温度領域250℃～、有機溶媒の爆発下限以下での大気混合比で完全酸化が可能です。
  • ヒータ加熱方式により、プロパンなどの燃焼燃料を必要とせず、CO2の排出量を低減します。
  • フィルタの設置により、生成する金属酸化物の装置外への排出を防止します。
  • 圧力、温度監視によって安全性を確保します。

装置仕様

寸法 W×D×H(mm) 1,400×1,100×2,000
装置重量(kg) 850
電源電圧(kVA) 18
燃焼用Air 種類 Air
供給圧 0.5～0.7MPa
使用量 200～300
(ℓ/min)nor
置換用ガス 種類 N2
供給圧 0.4～0.7MPa
使用量 40(ℓ/min)nor
計装用ガス 種類 N2又は、
Dry Air
供給圧 0.4～0.7MPa
使用量 若干

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