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排ガス処理装置一覧

半導体製造に欠くことの出来ない排ガス処理技術分野での数多くの実績を有し、更に多様化するニーズに多彩な技術と最新鋭設備でお応えします。

アンモニア分解除害装置　MODEL-WGA

本装置は主にGaN製造プロセスの排ガス処理を目的とした除害装置です。常温乾式除害と触媒分解式除害を効率よく組み合わせ、メンテナンス性向上、ランニングコスト及び環境負荷の低減を可能に致しました。

特長

  • 本装置はNH3を触媒分解により窒素と水素に分解、完全無害化します。
  • MOを含むGaN製造プロセス排ガス中の有毒ガスを効率的かつ安全に除害します。
  • 酸化法によるNH3除害などで問題となるNOxの発生は全くありません。
  • 火炎式（燃焼式）でない為、プロパン供給設備や排水設備は必要ありません。（但し、A20分解筒は水冷式を採用しております。）
  • 除害後のガス中は除害対象ガス濃度ACGIH/TLV-TWA値以下を保証します。
  • 吸着再生型は後処理筒の除害剤交換の必要がなく、ランニングコストの低減ができます。

装置性能

形式
装置寸法 W×D×H（mm）		 後処理方式 入口NH3流量
[ℓ/min](nor)		 入口総流量
[ℓ/min](nor)
WGA-7A-2-A3
1,900×600×1,900		 A3分解筒
（乾式除害型）		 12.4 37.6
WGA-12A-2-A5
2,550×800×1,900		 A5分解筒
（乾式除害型）		 20.6 62.4
WGA-62B-2-A10
3,300×1,000×1,900		 A10分解筒
（乾式除害型）		 35 115
WGA-62B-2-A20
3,100×1,350×2,200		 A20分解筒
（乾式除害型）		 82.6 250.4
WGA-62B12A-2-A20-M
3,400×1,350×2,200		 A20分解筒
（吸着再生型）

※対応流量についてはご相談ください。

概略図（後処理方式：乾式除害型）

概略図（後処理方式：吸着再生型）

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付帯設備を必要としないため、省スペース、低ランニングコストを実現しました。

吸着筒を水で再生するため、カートリッジは長寿命です。