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アンモニア分解除害装置 MODEL-WGA

アンモニア分解除害装置 MODEL-WGAのイメージ画像

本装置は主にGaN製造プロセスの排ガス処理を目的とした除害装置です。常温乾式除害と触媒分解式除害を効率よく組み合わせ、メンテナンス性向上、ランニングコスト及び環境負荷の低減を可能に致しました。

特長

  1. 本装置はNH3を触媒分解により窒素と水素に分解、完全無害化します。
  2. MOを含むGaN製造プロセス排ガス中の有毒ガスを効率的かつ安全に除害します。
  3. 酸化法によるNH3除害などで問題となるNOxの発生は全くありません。
  4. 火炎式(燃焼式)でない為、プロパン供給設備や排水設備は必要ありません。(但し、A20分解筒は水冷式を採用しております。)
  5. 除害後のガス中は除害対象ガス濃度ACGIH/TLV-TWA値以下を保証します。
  6. 吸着再生型は後処理筒の除害剤交換の必要がなく、ランニングコストの低減ができます。

装置仕様

形式
装置寸法 W×D×H(mm)
後処理方式 入口NH3流量
[ℓ/min](nor)
入口総流量
[ℓ/min](nor)
WGA-7A-2-A3
1,900×600×1,900
A3分解筒
(乾式除害型)
12.4 37.6
WGA-12A-2-A5
2,550×800×1,900
A5分解筒
(乾式除害型)
20.6 62.4
WGA-62B-2-A10
3,300×1,000×1,900
A10分解筒
(乾式除害型)
35 115
WGA-62B-2-A20
3,100×1,350×2,200
A20分解筒
(乾式除害型)
82.6 250.4
WGA-62B12A-2-A20-M
3,400×1,350×2,200
A20分解筒
(吸着再生型)

概略図(後処理方式:乾式除外型)

概略図(後処理方式:乾式除外型)の画像

概略図(後処理方式:吸着再生型)

概略図(後処理方式:吸着再生型)の画像

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